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アロエ総理の「半導体」

日々の半導体Newsを更新していきます。

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最近のエントリ

20:51
12/22

NTT、新しい通信技術を開発

「NTT、新しい通信技術を開発」 NTTは室内の照明器具や空調などの稼動状態を多数のセンサーで監視する新技術「センサーネットワーク」向けに、消費電力を大幅に引き下げられる通信技術を開発した。 送受信時の電波の補正に新手法を導入することで、送信部のLSIの消費電力を従来の1/10にできる。 課題だった送信部の省エネを実現したことで、センサーネットワークの本格的な実用化が視野に入ってきた。 （12/22付　日経産業...

19:02
12/19

ソニー、半導体投資４割削減

「ソニー、半導体投資４割削減」 ソニーは半導体事業への09年度設備投資額を前年比で４割近く削減する。 熊本で予定していた撮像素子（イメージセンサ）の第６期増強計画を凍結するほか、新たな増資は新製品立ち上げ時の設備導入などに限定する。 今後は資金を重点投入してきた電荷結合素子（CCD）やCMOSイメージセンサーも資産圧縮し、収益改善を図る。 （12/19付　日刊工業新聞・参考）

17:01
12/18

東芝、NAND型フラッシュ３割減産

「東芝、NAND型フラッシュ３割減産」 東芝は四日市工場の各生産ラインを停止し、NAND型フラッシュの生産量を約３割削減する。 300mmウエハーラインを年末年始に13日間、同200mmラインを４日間それぞれ停止予定。 メモリーカードや携帯型音楽再生機器の販売低迷に伴う需要低迷に対抗するためで、大分・北九州・姫路工場でも一時的に停止させる。 他の半導体各社も年末年始を利用して、ルネサスが10日程度、NECエレが最大13日...

16:49
12/17

NECエレとエルピーダ、共同出資会社の設立計画見直し

「NECエレとエルピーダ、共同出資会社の設立計画見直し」 NECエレクトロニクスとエルピーダメモリは、液晶用半導体の設計会社の設立計画を見直す。 液晶パネルの価格下落や減産を受けてLCDドライバーの事業規模が急速に縮小しているため、足元を固める方が先決と判断した。 LCDドライバーの技術開発はこれまで通り両社で続けていく方針。 （12/16付　日刊工業新聞・参考）

20:51
12/16

NECエレ、２つの新技術を発表

「NECエレ、２つの新技術を発表」 NECエレクトロニクスは32nm世代以降の先端LSIに向け、消費電力を最大で45％削減できる２つの技術を開発した。 不純物を注入するトランジスタの拡散層の構造を改良したほか、トランジスタをつなぐ銅配線間の絶縁膜を一括で作製する新手法を考案した。 今後これらの32nm世代以降の技術を順次適用し、自社製DRAMの開発を進める。 （12/16付　日刊工業新聞・参考）

19:36
12/15

JSR、新しい半導体用絶縁膜材料を開発

「JSR、新しい半導体用絶縁膜材料を開発」 JSRは製造コストわ最大５割削減できる半導体用絶縁膜材料を開発した。 光で硬化する感光性を持たせることにより、半導体製造で一般的に使われるフォトレジスト材料の塗布・除去などの工程が不要になる。 回路線幅32nm世代での利用を見込んでおり、09年１月にサンプル出荷を始める。 （12/12付　日経産業新聞・参考）

19:08
12/12

エルピーダ、50ナノDRAMを開発

「エルピーダ、50ナノDRAMを開発」 エルピーダメモリはチップ上の回路線幅に50nmプロセス技術を用いた、先端DRAM「モバイルRAM」を開発した。 携帯電話などの各種携帯機器向けで、09年上期の量産を計画している。 データ保存電流を同70nmプロセス品に比べて半減し、動作時の消費電力も同比で半減した。 これにより消費電力はそのままで、搭載メモリー容量を倍増することができる。 （12/12付　日刊工業新聞・参考）

17:16
12/11

次世代半導体向け光源の開発にメド

「次世代半導体向け光源の開発にメド」 半導体製造装置向け光源の世界大手、ギガフォトンは「EUV露光」と呼ばれる次世代半導体製造技術に対応した光源の開発にメドをつけた。 金属にレーザーを照射して発光させるレーザープラズマ（LPP）方式を採用しており、2011年３月までに量産工場向けの実用段階に仕上げる計画。 次世代半導体において光源も大きな技術課題となっており、今回の件で実現が一歩近づいた。 （12/11付　日...

19:49
12/9

半導体製造装置メーカー大手、LED用装置を拡充

「半導体製造装置メーカー大手、LED用装置を拡充」 半導体製造装置メーカー大手が相次ぎLEDやMEMS向け装置を拡充する。 メモリーやロジックLSIでの設備投資抑制が続く中、需要拡大が見込まれる分野にシフト・受注獲得を目指す。 LEDは環境配慮の点からも需要拡大が期待されている。 （12/4付　日刊工業新聞・参考）

11:42
12/8

東工大、ゲート絶縁膜の薄膜化に成功

「東工大、ゲート絶縁膜の薄膜化に成功」 東京工業大学は、LSI微細化の問題となっていたゲート絶縁膜の薄膜化に成功した。 シリコン酸化膜に換算した電気的に等価な膜厚である等価換算膜厚で、世界初の0.37nmのゲート絶縁膜をもつMOSFETを作った。 これにより、回路線幅16nm以降の次世代LSIの実現可能性が出てきた。 （12/8付　日刊工業新聞・参考）

13:07
12/5

ローム、携帯向けLEDドライバーICの新製品を開発

「ローム、携帯向けLEDドライバーICの新製品を開発」 ロームは携帯電話用液晶バックライト向けLEDドライバーICの新製品を開発し、サンプル出荷を始めた。 従来製品に比べて面積を70％前後削減した。 輝度を16段階で制御できるのに加え、表示する画像に応じて画調を調整し電流量を削減する機能の搭載により消費電力を抑えることができる。 09年６月にかけて順次量産予定で、当初月に250万個を生産する予定。 （12/5付　日経...

11:20
12/4

東芝、半導体生産を再編

「東芝、半導体生産を再編」 東芝は製造前工程ラインのうち直径127mmと150mmの両ウエハーラインを終息し、生産性の高い直径200mmや300mmウエハーラインに完全移行する。 製造前工程は自前主義を修正し、国内グループ工場の再編を視野に海外のファウンドリーを活用する。 主力のNAND型フラッシュ・システムLSI・ディスクリート半導体のコスト構造を見直すことにより、09年後半までに巻き返しを図る。 （12/4付　日刊工業新聞...

13:34
12/3

メモリー価格の低迷続く

「メモリー価格の低迷続く」 低迷を続ける半導体メモリーの価格がメーカーの期待ほど回復しない見方が出始めている。 DRAMはメーカー数社の淘汰で供給過剰が解消され、市況が回復すると考えられていた。 しかし、ここにきて各国政府が自国メーカーの支援に乗り出すとの見方もあり市況回復のシナリオは確かなものではない。 価格改定へむけて半導体各社は次世代品の投入の前倒しを検討している。 （12/3付　日刊工業新聞・参...

13:59
12/2

日立国際電気、高い生産性をもつ半導体製造装置を開発

「日立国際電気、高い生産性をもつ半導体製造装置を開発」 日立国際電気は、同社の従来品に比べて２倍近い生産性を持つ半導体製造装置の２機種を開発した。 感光性樹脂を除去する「アッシング装置」とゲート絶縁膜を作るための「プラズマ窒化・酸化装置」である。 来年１月に受注開始の予定で、年間40-50台の受注を見込んでいる。 （12/1付　日経産業新聞・参考）

13:45
11/28

エルピーダ、台湾合弁を子会社化

「エルピーダ、台湾合弁を子会社化」 エルピーダメモリは09年３月末までに台湾の提携先との合弁生産子会社を連結子会社化すると発表した。 子会社化するのは台湾のレックスチップ・エレクトロニクスでDRAMなどを生産している。 この子会社化により生産や財務の安定化を狙う。 （11/28付　日経産業新聞・参考）

14:51
11/27

NECエレ、地デジ簡易チューナー用 LSIをサンプル出荷

「NECエレ、地デジ簡易チューナー用 LSIをサンプル出荷」 NECエレクトロニクスは、現行のアナログテレビで地上デジタル放送を視聴できる簡易チューナー向けのシステム LSIのサンプル出荷を開始した。 地デジ受信機に必要な機能をワンチップ上に集積しており、不要回路の削減などにより消費電力を抑えた。 09年春に量産を始め、2010年に月産30万個を計画している。 （11/21付　日刊工業新聞・参考）

13:52
11/26

半導体市場、来年2.2％減

「半導体市場、来年2.2％減」 世界半導体市場統計（WSTS）は09年の半導体市場が前年比で2.2％減になると予測した。 マクロ経済の低迷により半導体を組み込んだ最終商品の購買意欲が減退するためで、マイナス成長はITバブルが崩壊した01年以来の８年ぶりとなる。 2010年には市場が回復に向かうと見込んでいる。 （11/19付　日経産業新聞・参考）

14:06
11/25

ルネサス、前工程のドイツ工場売却完了

「ルネサス、前工程のドイツ工場売却完了」 ルネサステクノロジはドイツの半導体前工程工場の売却を完了した。 ドイツのシリコンファウンドリーホールディングに数十億円で譲渡し、これによりルネサスの前工程拠点は日本国内のみとなった。 今後は携帯のICカード向けマイコンを国内で生産し、前工程を国内のより大規模な工場に集約することで生産の効率化を目指す。 （11/25付　日経産業新聞・参考）

15:14
11/21

オランダのASML、日本で直販に切り替え

「オランダのASML、日本で直販に切り替え」 オランダのASMLは09年4月をめどに日本での半導体露光装置の販売を直接販売に切り替える。 顧客との関係構築など日本国内で自社展開する環境が整ったと判断しており、今後は直販体制により国内半導体メーカーへの営業・サービス体制を強化する。 フッ化アルゴン液浸露光装置の需要拡大を機に日本市場シェア拡大を目指す。 （11/21付　日刊工業新聞・参考）

19:38
11/20

半導体露光メーカー、来年にも次世代機を出荷

「半導体露光メーカー、来年にも次世代機を出荷」 半導体露光装置メーカーは回路線幅32nmの次世代半導体製造に用いる最先端装置を09年から市場投入する。 ２回露光（ダブルパターニング）と呼ばれる製造技術を採用した機種で、オランダのASML・ニコン・キャノンが順に出荷予定。 ２回露光は半導体回路をウエハーに焼き付ける際の製造方法の一種で、回路線幅32nmの次世代半導体製造の量産技術として開発されてきた。 （11/20...
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